IKD04N60RC2ATMA1

IKD04N60RC2ATMA1 Infineon Technologies


Infineon-IKD04N60RC2-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4627645f8770176522334a44d1d Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 600V 8A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 80 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 4ns/90ns
Switching Energy: 100µJ (on), 40µJ (off)
Test Condition: 400V, 4A, 49Ohm, 15V
Gate Charge: 24 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 36.6 W
на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+23.91 грн
5000+ 21.82 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IKD04N60RC2ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IKD04N60RC2ATMA1 - IGBT, 8 A, 2 V, 36.6 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2V, Verlustleistung Pd: 36.6W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 36.6W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600V, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TRENCHSTOP RC, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, DC-Kollektorstrom: 8A, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Kontinuierlicher Kollektorstrom: 8A, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Інші пропозиції IKD04N60RC2ATMA1 за ціною від 20.98 грн до 88.15 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IKD04N60RC2ATMA1 IKD04N60RC2ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IKD04N60RC2-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4627645f8770176522334a44d1d Description: IGBT TRENCH FS 600V 8A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 80 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 4ns/90ns
Switching Energy: 100µJ (on), 40µJ (off)
Test Condition: 400V, 4A, 49Ohm, 15V
Gate Charge: 24 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 36.6 W
на замовлення 14641 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+63.39 грн
10+ 52.51 грн
100+ 36.36 грн
500+ 28.51 грн
1000+ 24.27 грн
Мінімальне замовлення: 5
IKD04N60RC2ATMA1 IKD04N60RC2ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IKD04N60RC2_DataSheet_v02_01_EN-3362086.pdf IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
на замовлення 10781 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+67.9 грн
10+ 58.43 грн
100+ 35.16 грн
500+ 29.43 грн
1000+ 25.04 грн
2500+ 22.24 грн
5000+ 20.98 грн
Мінімальне замовлення: 5
IKD04N60RC2ATMA1 IKD04N60RC2ATMA1 Виробник : INFINEON 3180284.pdf Description: INFINEON - IKD04N60RC2ATMA1 - IGBT, 8 A, 2 V, 36.6 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36.6W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP RC
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 8A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 58 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+88.15 грн
12+ 65.52 грн
Мінімальне замовлення: 9
IKD04N60RC2ATMA1 IKD04N60RC2ATMA1 Виробник : INFINEON 3180284.pdf Description: INFINEON - IKD04N60RC2ATMA1 - IGBT, 8 A, 2 V, 36.6 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2V
Verlustleistung Pd: 36.6W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36.6W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP RC
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 8A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 8A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 58 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IKD04N60RC2ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ikd04n60rc2-datasheet-v02_01-en.pdf SP004542900
товар відсутній