Продукція > INFINEON > IKFW60N60DH3EXKSA1
IKFW60N60DH3EXKSA1

IKFW60N60DH3EXKSA1 INFINEON


2849723.pdf Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IKFW60N60DH3EXKSA1 - IGBT, 53 A, 2.2 V, 141 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 141
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: TRENCHSTOP 3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 53
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 40 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+362.15 грн
5+ 343.52 грн
10+ 324.15 грн
Мінімальне замовлення: 3
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IKFW60N60DH3EXKSA1 INFINEON

Description: IGBT 600V 50A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 68 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 50A, Supplier Device Package: PG-TO247-3-AI, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 23ns/170ns, Switching Energy: 1.57mJ (on), 720µJ (off), Test Condition: 400V, 50A, 7Ohm, 15V, Gate Charge: 210 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 53 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A, Power - Max: 141 W.

Інші пропозиції IKFW60N60DH3EXKSA1 за ціною від 205.26 грн до 443.28 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IKFW60N60DH3EXKSA1 IKFW60N60DH3EXKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IKFW60N60DH3E_DataSheet_v02_01_EN-3362049.pdf IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
на замовлення 456 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+443.28 грн
10+ 374.31 грн
25+ 295.59 грн
100+ 258.4 грн
240+ 220.53 грн
480+ 215.22 грн
1200+ 205.26 грн
IKFW60N60DH3EXKSA1 IKFW60N60DH3EXKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ikfw60n60dh3e-datasheet-v02_01-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 53A 141000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKFW60N60DH3EXKSA1 IKFW60N60DH3EXKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IKFW60N60DH3E.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 44A; 104W; PG-TO247-3-AI
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 44A
Power dissipation: 104W
Case: PG-TO247-3-AI
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Turn-on time: 62ns
Turn-off time: 189ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IKFW60N60DH3EXKSA1 IKFW60N60DH3EXKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ikfw60n60dh3e-datasheet-v02_01-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 53A 141W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKFW60N60DH3EXKSA1 IKFW60N60DH3EXKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ikfw60n60dh3e-datasheet-v02_01-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 53A 141W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKFW60N60DH3EXKSA1 IKFW60N60DH3EXKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ikfw60n60dh3e-datasheet-v02_01-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 53A 141W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKFW60N60DH3EXKSA1 IKFW60N60DH3EXKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ikfw60n60dh3e-datasheet-v02_01-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 53A 141W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKFW60N60DH3EXKSA1 IKFW60N60DH3EXKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IKFW60N60DH3E-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462602a9dc8016034ff33752dfe Description: IGBT 600V 50A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 68 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-AI
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/170ns
Switching Energy: 1.57mJ (on), 720µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 7Ohm, 15V
Gate Charge: 210 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 53 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 141 W
товар відсутній
IKFW60N60DH3EXKSA1 IKFW60N60DH3EXKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IKFW60N60DH3E.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 44A; 104W; PG-TO247-3-AI
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 44A
Power dissipation: 104W
Case: PG-TO247-3-AI
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Turn-on time: 62ns
Turn-off time: 189ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товар відсутній