IKW25T120FKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 193.16 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IKW25T120FKSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT NPT FS 1200V 50A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 200 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 25A, Supplier Device Package: PG-TO247-3-1, IGBT Type: NPT, Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 50ns/560ns, Switching Energy: 4.2mJ, Test Condition: 600V, 25A, 22Ohm, 15V, Gate Charge: 155 nC, Part Status: Not For New Designs, Current - Collector (Ic) (Max): 50 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A, Power - Max: 190 W.
Інші пропозиції IKW25T120FKSA1 за ціною від 183.17 грн до 759.88 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IKW25T120FKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 190W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 558 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IKW25T120FKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 190W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 108 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IKW25T120FKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 190W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 108 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IKW25T120FKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 190W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 560 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IKW25T120FKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 1200V 25A |
на замовлення 2094 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IKW25T120FKSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IKW25T120FKSA1 - IGBT, Universal, 50 A, 2.2 V, 190 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 190W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 50A SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 1885 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IKW25T120FKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IGBT NPT FS 1200V 50A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 200 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 25A Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 IGBT Type: NPT, Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 50ns/560ns Switching Energy: 4.2mJ Test Condition: 600V, 25A, 22Ohm, 15V Gate Charge: 155 nC Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 50 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A Power - Max: 190 W |
на замовлення 205 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IKW25T120FKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 190W; TO247-3 Mounting: THT Case: TO247-3 Pulsed collector current: 75A Type of transistor: IGBT Power dissipation: 190W Gate-emitter voltage: ±20V Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Gate charge: 155nC Collector-emitter voltage: 1.2kV Kind of package: tube Collector current: 50A |
на замовлення 27 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IKW25T120FKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 190W; TO247-3 Mounting: THT Case: TO247-3 Pulsed collector current: 75A Type of transistor: IGBT Power dissipation: 190W Gate-emitter voltage: ±20V Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Gate charge: 155nC Collector-emitter voltage: 1.2kV Kind of package: tube Collector current: 50A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 27 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IKW25T120FKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 190W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IKW25T120FKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 190W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |