IKW30N65ES5XKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 1574 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 132.08 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IKW30N65ES5XKSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH 650V 62A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 75 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 30A, Supplier Device Package: PG-TO247-3, IGBT Type: Trench, Td (on/off) @ 25°C: 17ns/124ns, Switching Energy: 560µJ (on), 320µJ (off), Test Condition: 400V, 30A, 13Ohm, 15V, Gate Charge: 70 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 62 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A, Power - Max: 188 W.
Інші пропозиції IKW30N65ES5XKSA1 за ціною від 117.3 грн до 425.81 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IKW30N65ES5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans IGBT Chip N-CH 650V 62A 188W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 1602 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IKW30N65ES5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 62A 188W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 1604 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IKW30N65ES5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 62A 188W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 114 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IKW30N65ES5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 62A 188W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 114 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IKW30N65ES5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IGBT TRENCH 650V 62A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 30A Supplier Device Package: PG-TO247-3 IGBT Type: Trench Td (on/off) @ 25°C: 17ns/124ns Switching Energy: 560µJ (on), 320µJ (off) Test Condition: 400V, 30A, 13Ohm, 15V Gate Charge: 70 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 62 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 188 W |
на замовлення 1783 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IKW30N65ES5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
IGBT Transistors INDUSTRY 14 |
на замовлення 169 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IKW30N65ES5XKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 39.5A; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 5 Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 39.5A Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 120A Mounting: THT Gate charge: 70nC Kind of package: tube Turn-on time: 29ns Turn-off time: 154ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IKW30N65ES5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 62A 188W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 720 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IKW30N65ES5XKSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IKW30N65ES5XKSA1 - IGBT, 62 A, 1.35 V, 188 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 188W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP™ 5 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 62A SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 96 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IKW30N65ES5XKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 39.5A; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 5 Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 39.5A Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 120A Mounting: THT Gate charge: 70nC Kind of package: tube Turn-on time: 29ns Turn-off time: 154ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 30 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IKW30N65ES5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 62A 188W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |