IKW50N65EH5XKSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 81 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/172ns
Switching Energy: 1.5mJ (on), 500µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 275 W
на замовлення 133 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 392.33 грн |
| 30+ | 299.15 грн |
| 120+ | 256.4 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IKW50N65EH5XKSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH 650V 80A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 81 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A, Supplier Device Package: PG-TO247-3, IGBT Type: Trench, Td (on/off) @ 25°C: 25ns/172ns, Switching Energy: 1.5mJ (on), 500µJ (off), Test Condition: 400V, 50A, 12Ohm, 15V, Gate Charge: 120 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A, Power - Max: 275 W.
Інші пропозиції IKW50N65EH5XKSA1 за ціною від 174.7 грн до 559.13 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IKW50N65EH5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
IGBT Transistors INDUSTRY 14 |
на замовлення 400 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IKW50N65EH5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 275W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 162 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IKW50N65EH5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 275W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 162 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IKW50N65EH5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 275W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IKW50N65EH5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 275000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
IKW50N65EH5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 275W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
IKW50N65EH5XKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 138W; TO247-3; H5 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 5 Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 50A Power dissipation: 138W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 200A Mounting: THT Gate charge: 0.12µC Kind of package: tube Manufacturer series: H5 Turn-on time: 54ns Turn-off time: 207ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
IKW50N65EH5XKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 138W; TO247-3; H5 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 5 Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 50A Power dissipation: 138W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 200A Mounting: THT Gate charge: 0.12µC Kind of package: tube Manufacturer series: H5 Turn-on time: 54ns Turn-off time: 207ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
товар відсутній |