IKW50N65SS5XKSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/140ns
Switching Energy: 320µJ (on), 550µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 9Ohm, 15V
Gate Charge: 110 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 274 W
на замовлення 116 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 663.94 грн |
| 30+ | 510.56 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IKW50N65SS5XKSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 50A, Supplier Device Package: PG-TO247-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 20ns/140ns, Switching Energy: 320µJ (on), 550µJ (off), Test Condition: 400V, 50A, 9Ohm, 15V, Gate Charge: 110 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A, Power - Max: 274 W.
Інші пропозиції IKW50N65SS5XKSA1 за ціною від 345.41 грн до 1237 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IKW50N65SS5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
IGBT Discrete Chip |
на замовлення 20160 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IKW50N65SS5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
IGBT Transistors SIC DISCRETE |
на замовлення 673 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IKW50N65SS5XKSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IKW50N65SS5XKSA1 - IGBT, 650V, 80A, 274W, To-247, 1.35Vsat tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V rohsCompliant: YES Verlustleistung: 274W Anzahl der Pins: 3Pin(s) euEccn: NLR Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V Betriebstemperatur, max.: 175°C usEccn: EAR99 |
на замовлення 171 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IKW50N65SS5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
IGBT Discrete Chip |
на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| IKW50N65SS5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
SP001668430 |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
|
|
IKW50N65SS5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
IGBT Discrete Chip |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
IKW50N65SS5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
IGBT Discrete Chip |
товар відсутній |