IMH4AT110

IMH4AT110 ROHM Semiconductor


emh4t2r-e.pdf Виробник: ROHM Semiconductor
Bipolar Transistors - Pre-Biased DUAL NPN 50V 100MA SOT-457
на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+28.27 грн
14+ 22.34 грн
100+ 13.29 грн
1000+ 7.48 грн
3000+ 6.14 грн
9000+ 5.47 грн
45000+ 5.27 грн
Мінімальне замовлення: 12
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IMH4AT110 ROHM Semiconductor

Category: NPN SMD transistors, Description: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 300mW; SC74,SOT457, Mounting: SMD, Kind of package: reel; tape, Collector current: 0.1A, Collector-emitter voltage: 50V, Type of transistor: NPN x2, Power dissipation: 300mW, Kind of transistor: BRT, Base resistor: 10kΩ, Frequency: 250MHz, Current gain: 100...600, Case: SC74; SOT457, Polarisation: bipolar.

Інші пропозиції IMH4AT110

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IMH4AT110 IMH4AT110 Виробник : Rohm Semiconductor emh4t2r-e.pdf Description: TRANS PREBIAS DUAL NPN SMT6
на замовлення 2507 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IMH4AT110 IMH4AT110 Виробник : Rohm Semiconductor emh4t2r-e.pdf Description: TRANS PREBIAS DUAL NPN SMT6
на замовлення 2507 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IMH4AT110 IMH4AT110 Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR emh4t2r-e.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 300mW; SC74,SOT457
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Collector current: 0.1A
Collector-emitter voltage: 50V
Type of transistor: NPN x2
Power dissipation: 300mW
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 10kΩ
Frequency: 250MHz
Current gain: 100...600
Case: SC74; SOT457
Polarisation: bipolar
товар відсутній
IMH4AT110 IMH4AT110 Виробник : Rohm Semiconductor emh4t2r-e.pdf Description: TRANS PREBIAS DUAL NPN SMT6
товар відсутній
IMH4AT110 IMH4AT110 Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR emh4t2r-e.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 300mW; SC74,SOT457
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Collector current: 0.1A
Collector-emitter voltage: 50V
Type of transistor: NPN x2
Power dissipation: 300mW
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 10kΩ
Frequency: 250MHz
Current gain: 100...600
Case: SC74; SOT457
Polarisation: bipolar
товар відсутній