Продукція > INFINEON > IMT65R057M1HXUMA1
IMT65R057M1HXUMA1

IMT65R057M1HXUMA1 INFINEON

3974514.pdf Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMT65R057M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 44 A, 650 V, 0.057 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 203W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+580.17 грн
50+ 517.4 грн
100+ 457.28 грн
250+ 429.97 грн
Мінімальне замовлення: 10
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IMT65R057M1HXUMA1 INFINEON

Description: INFINEON - IMT65R057M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 44 A, 650 V, 0.057 ohm, HSOF, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 44A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V, MOSFET-Modul-Konfiguration: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: 203W, Bauform - Transistor: HSOF, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: CoolSiC Trench Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції IMT65R057M1HXUMA1 за ціною від 351.39 грн до 794.31 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IMT65R057M1HXUMA1 IMT65R057M1HXUMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IMT65R057M1H_DataSheet_v02_01_EN-3159577.pdf MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 925 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+686.6 грн
10+ 580.32 грн
25+ 457.73 грн
100+ 420.08 грн
250+ 395.65 грн
500+ 371.21 грн
1000+ 351.39 грн
IMT65R057M1HXUMA1 IMT65R057M1HXUMA1 Виробник : INFINEON 3974514.pdf Description: INFINEON - IMT65R057M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 44 A, 650 V, 0.057 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 203W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+794.31 грн
5+ 687.61 грн
10+ 580.17 грн
50+ 517.4 грн
100+ 457.28 грн
250+ 429.97 грн
IMT65R057M1HXUMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-imt65r057m1h-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 650V 44A 9-Pin(8+Tab) HSOF
товар відсутній