Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IMT65R163M1HXUMA1
IMT65R163M1HXUMA1

IMT65R163M1HXUMA1 Infineon Technologies

Виробник: Infineon Technologies
Description: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+189.32 грн
Мінімальне замовлення: 2000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IMT65R163M1HXUMA1 Infineon Technologies

Description: SILICON CARBIDE MOSFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerSFN, Mounting Type: Surface Mount, Technology: SiCFET (Silicon Carbide), Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V.

Інші пропозиції IMT65R163M1HXUMA1 за ціною від 177.68 грн до 388.69 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IMT65R163M1HXUMA1 IMT65R163M1HXUMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IMT65R163M1H_DataSheet_v02_00_EN-3159590.pdf MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 380 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+380.67 грн
10+ 315.23 грн
25+ 258.92 грн
100+ 221.93 грн
250+ 209.38 грн
500+ 197.49 грн
1000+ 177.68 грн
IMT65R163M1HXUMA1 IMT65R163M1HXUMA1 Виробник : Infineon Technologies Description: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+388.69 грн
10+ 314.43 грн
100+ 254.39 грн
500+ 212.2 грн
1000+ 181.7 грн
IMT65R163M1HXUMA1 Виробник : Infineon Technologies SP005716855
товар відсутній