IMW65R027M1HXKSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 650V NCH SIC TRENCH
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 38.3A, 18V
Power Dissipation (Max): 189W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 11mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2131 pF @ 400 V
на замовлення 351 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1169.8 грн |
| 30+ | 912.06 грн |
| 120+ | 858.4 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IMW65R027M1HXKSA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET 650V NCH SIC TRENCH, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 38.3A, 18V, Power Dissipation (Max): 189W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 11mA, Supplier Device Package: PG-TO247-3-41, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, Vgs (Max): +23V, -5V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 18 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2131 pF @ 400 V.
Інші пропозиції IMW65R027M1HXKSA1 за ціною від 751.94 грн до 1513.95 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IMW65R027M1HXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET |
на замовлення 266 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IMW65R027M1HXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IMW65R027M1HXKSA1 Код товару: 193216 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||
 |
IMW65R027M1HXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| IMW65R027M1HXKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 39A; Idm: 185A; 189W Mounting: THT Power dissipation: 189W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Technology: CoolSiC™; SiC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: -5...23V Pulsed drain current: 185A Case: TO247 Drain-source voltage: 650V Drain current: 39A On-state resistance: 35mΩ Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
|
|
IMW65R027M1HXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
IMW65R027M1HXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| IMW65R027M1HXKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 39A; Idm: 185A; 189W Mounting: THT Power dissipation: 189W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Technology: CoolSiC™; SiC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: -5...23V Pulsed drain current: 185A Case: TO247 Drain-source voltage: 650V Drain current: 39A On-state resistance: 35mΩ Type of transistor: N-MOSFET |
товар відсутній |