IMW65R030M1HXKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 240+ | 1020.04 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IMW65R030M1HXKSA1 Infineon Technologies
Description: SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 29.5A, 18V, Power Dissipation (Max): 197W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 8.8mA, Supplier Device Package: PG-TO247-3-41, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, Vgs (Max): +20V, -2V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 18 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1643 pF @ 400 V.
Інші пропозиції IMW65R030M1HXKSA1 за ціною від 737.99 грн до 1756.06 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IMW65R030M1HXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 29.5A, 18V Power Dissipation (Max): 197W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 8.8mA Supplier Device Package: PG-TO247-3-41 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Vgs (Max): +20V, -2V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1643 pF @ 400 V |
на замовлення 120 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IMW65R030M1HXKSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IMW65R030M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 58 A, 650 V, 0.03 ohm, TO-247 tariffCode: 85412100 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 58A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 197W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm |
на замовлення 195 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IMW65R030M1HXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET |
на замовлення 559 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IMW65R030M1HXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 58A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 670 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IMW65R030M1HXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 58A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| IMW65R030M1HXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Silicon Carbide Power Mosfet |
товар відсутній |