на замовлення 667 шт:
термін постачання 196-205 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1837.87 грн |
| 10+ | 1609.57 грн |
| 25+ | 1305.83 грн |
| 50+ | 1265.54 грн |
| 100+ | 1224.59 грн |
| 240+ | 1142.68 грн |
| 480+ | 1044.27 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IMYH200R100M1HXKSA1 Infineon Technologies
Description: SIC DISCRETE, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 131mOhm @ 10A, 18V, Power Dissipation (Max): 217W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 6mA, Supplier Device Package: PG-TO247-4-U04, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V, Vgs (Max): +20V, -7V, Drain to Source Voltage (Vdss): 2000 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 18 V.
Інші пропозиції IMYH200R100M1HXKSA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| IMYH200R100M1HXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Silicon Carbide MOSFET |
товар відсутній |
||
| IMYH200R100M1HXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Silicon Carbide MOSFET |
товар відсутній |
||
 |
IMYH200R100M1HXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: SIC DISCRETE Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 131mOhm @ 10A, 18V Power Dissipation (Max): 217W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 6mA Supplier Device Package: PG-TO247-4-U04 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +20V, -7V Drain to Source Voltage (Vdss): 2000 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 18 V |
товар відсутній |