IMZ120R090M1HXKSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1.2KV 26A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 117mOhm @ 8.5A, 18V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 3.7mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 707 pF @ 800 V
на замовлення 602 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 738.07 грн |
| 10+ | 626.37 грн |
| 100+ | 541.72 грн |
| 500+ | 460.72 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IMZ120R090M1HXKSA1 Infineon Technologies
Description: SICFET N-CH 1.2KV 26A TO247-4, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 117mOhm @ 8.5A, 18V, Power Dissipation (Max): 115W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 3.7mA, Supplier Device Package: PG-TO247-4-1, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V, Vgs (Max): +23V, -7V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 18 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 707 pF @ 800 V.
Інші пропозиції IMZ120R090M1HXKSA1 за ціною від 501.38 грн до 912.94 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IMZ120R090M1HXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET SIC DISCRETE |
на замовлення 511 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IMZ120R090M1HXKSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IMZ120R090M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 26 A, 1.2 kV, 0.09 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 26A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 115W Anzahl der Pins: 4Pins productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm |
на замовлення 140 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| IMZ120R090M1HXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Silicon Carbide Power Mosfet |
на замовлення 110 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| IMZ120R090M1HXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Silicon Carbide Power Mosfet |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| IMZ120R090M1HXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Silicon Carbide Power Mosfet |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| IMZ120R090M1HXKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 18A; Idm: 50A; 58W Mounting: THT Case: TO247-4 Kind of package: tube Power dissipation: 58W Polarisation: unipolar Technology: CoolSiC™; SiC Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Drain current: 18A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 1.2kV Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: -7...23V On-state resistance: 0.17Ω Pulsed drain current: 50A кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| IMZ120R090M1HXKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 18A; Idm: 50A; 58W Mounting: THT Case: TO247-4 Kind of package: tube Power dissipation: 58W Polarisation: unipolar Technology: CoolSiC™; SiC Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Drain current: 18A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 1.2kV Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: -7...23V On-state resistance: 0.17Ω Pulsed drain current: 50A |
товар відсутній |