IMZ120R220M1HXKSA1 INFINEON
Виробник: INFINEONDescription: INFINEON - IMZ120R220M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 13 A, 1.2 kV, 0.22 ohm, TO-247
tariffCode: 85411000
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Anzahl der Pins: 4Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
на замовлення 86 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 704.74 грн |
| 5+ | 618.61 грн |
| 10+ | 532.49 грн |
| 50+ | 455.51 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IMZ120R220M1HXKSA1 INFINEON
Description: SICFET N-CH 1.2KV 13A TO247-4, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 4A, 18V, Power Dissipation (Max): 75W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 1.6mA, Supplier Device Package: PG-TO247-4-1, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V, Vgs (Max): +23V, -7V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 18 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 289 pF @ 800 V.
Інші пропозиції IMZ120R220M1HXKSA1 за ціною від 366.52 грн до 727.48 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IMZ120R220M1HXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: SICFET N-CH 1.2KV 13A TO247-4 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 4A, 18V Power Dissipation (Max): 75W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 1.6mA Supplier Device Package: PG-TO247-4-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +23V, -7V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 289 pF @ 800 V |
на замовлення 379 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IMZ120R220M1HXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET SIC DISCRETE |
на замовлення 238 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IMZ120R220M1HXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 13A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IMZ120R220M1HXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 13A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||
| IMZ120R220M1HXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 13A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
||||||||||||||||
| IMZ120R220M1HXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 13A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
||||||||||||||||
| IMZ120R220M1HXKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 9.5A; Idm: 21A; 37.5W Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolSiC™; SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 9.5A Pulsed drain current: 21A Power dissipation: 37.5W Case: TO247-4 Gate-source voltage: -7...23V On-state resistance: 416mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: Kelvin terminal кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
| IMZ120R220M1HXKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 9.5A; Idm: 21A; 37.5W Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolSiC™; SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 9.5A Pulsed drain current: 21A Power dissipation: 37.5W Case: TO247-4 Gate-source voltage: -7...23V On-state resistance: 416mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: Kelvin terminal |
товар відсутній |