IMZ120R350M1HXKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 62 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 39+ | 303.35 грн |
| 42+ | 284.46 грн |
| 50+ | 276.5 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IMZ120R350M1HXKSA1 Infineon Technologies
Description: SICFET N-CH 1.2KV 4.7A TO247-4, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 2A, 18V, Power Dissipation (Max): 60W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 1mA, Supplier Device Package: PG-TO247-4-1, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V, Vgs (Max): +23V, -7V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.3 nC @ 18 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 182 pF @ 800 V.
Інші пропозиції IMZ120R350M1HXKSA1 за ціною від 334.88 грн до 654.24 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IMZ120R350M1HXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 4.7A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 15360 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IMZ120R350M1HXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 4.7A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 167 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IMZ120R350M1HXKSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IMZ120R350M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 4.7 A, 1.2 kV, 0.35 ohm, TO-247 tariffCode: 85411000 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 60W Anzahl der Pins: 4Pins productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm |
на замовлення 73 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IMZ120R350M1HXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 4.7A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 167 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IMZ120R350M1HXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: SICFET N-CH 1.2KV 4.7A TO247-4 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 2A, 18V Power Dissipation (Max): 60W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 1mA Supplier Device Package: PG-TO247-4-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +23V, -7V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.3 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 182 pF @ 800 V |
на замовлення 260 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IMZ120R350M1HXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET SIC DISCRETE |
на замовлення 472 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IMZ120R350M1HXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 4.7A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||
 |
IMZ120R350M1HXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 4.7A Tube |
товар відсутній |
|||||||||||
| IMZ120R350M1HXKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 4.7A; Idm: 13A; 30W Kind of package: tube Mounting: THT Drain current: 4.7A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 1.2kV Type of transistor: N-MOSFET Case: TO247-4 On-state resistance: 662mΩ Gate-source voltage: -7...23V Pulsed drain current: 13A Power dissipation: 30W Polarisation: unipolar Technology: CoolSiC™; SiC Features of semiconductor devices: Kelvin terminal кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||
| IMZ120R350M1HXKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 4.7A; Idm: 13A; 30W Kind of package: tube Mounting: THT Drain current: 4.7A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 1.2kV Type of transistor: N-MOSFET Case: TO247-4 On-state resistance: 662mΩ Gate-source voltage: -7...23V Pulsed drain current: 13A Power dissipation: 30W Polarisation: unipolar Technology: CoolSiC™; SiC Features of semiconductor devices: Kelvin terminal |
товар відсутній |