IMZA120R020M1HXKSA1

IMZA120R020M1HXKSA1 Infineon Technologies


Infineon_IMZA120R020M1H_DataSheet_v01_20_EN-3362172.pdf Виробник: Infineon Technologies
MOSFET SIC DISCRETE
на замовлення 709 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1903.37 грн
10+ 1668.05 грн
25+ 1352.73 грн
50+ 1311.11 грн
100+ 1268.18 грн
240+ 1182.97 грн
480+ 1087.86 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IMZA120R020M1HXKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IMZA120R020M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 98 A, 1.2 kV, 0.019 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 98A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 375W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pins, Produktpalette: Produktreihe CoolSiC Trench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Інші пропозиції IMZA120R020M1HXKSA1 за ціною від 1434.71 грн до 2153.22 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IMZA120R020M1HXKSA1 IMZA120R020M1HXKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IMZA120R020M1H-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7f2a768a017f8795ca7f31d6 Description: SIC DISCRETE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 98A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.9mOhm @ 41A, 18V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.2V @ 17.6mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3460 nF @ 25 V
на замовлення 146 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+2040.6 грн
30+ 1629.31 грн
120+ 1527.47 грн
IMZA120R020M1HXKSA1 IMZA120R020M1HXKSA1 Виробник : INFINEON 3704050.pdf Description: INFINEON - IMZA120R020M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 98 A, 1.2 kV, 0.019 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pins
Produktpalette: Produktreihe CoolSiC Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 239 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+2153.22 грн
5+ 1969.46 грн
10+ 1785.71 грн
50+ 1605.87 грн
100+ 1434.71 грн
IMZA120R020M1HXKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-imza120r020m1h-datasheet-v01_10-en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 98A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
240+1523.47 грн
Мінімальне замовлення: 240
IMZA120R020M1HXKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IMZA120R020M1H.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 71A; Idm: 213A; 188W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolSiC™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 71A
Pulsed drain current: 213A
Power dissipation: 188W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -7...20V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IMZA120R020M1HXKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IMZA120R020M1H.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 71A; Idm: 213A; 188W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolSiC™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 71A
Pulsed drain current: 213A
Power dissipation: 188W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -7...20V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
товар відсутній