IMZA65R039M1HXKSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 25A, 18V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 7.5mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +20V, -2V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1393 pF @ 400 V
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 946.71 грн |
| 30+ | 738.21 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IMZA65R039M1HXKSA1 Infineon Technologies
Description: SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 25A, 18V, Power Dissipation (Max): 176W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 7.5mA, Supplier Device Package: PG-TO247-4-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, Vgs (Max): +20V, -2V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 18 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1393 pF @ 400 V.
Інші пропозиції IMZA65R039M1HXKSA1 за ціною від 608.33 грн до 1111.93 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IMZA65R039M1HXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET |
на замовлення 304 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IMZA65R039M1HXKSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IMZA65R039M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 50 A, 650 V, 0.039 ohm, TO-247 tariffCode: 85412100 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 176W Anzahl der Pins: 4Pins productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm |
на замовлення 221 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| IMZA65R039M1HXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Silicon Carbide Power Mosfet |
на замовлення 28 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| IMZA65R039M1HXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Silicon Carbide Power Mosfet |
на замовлення 28 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| IMZA65R039M1HXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Silicon Carbide Power Mosfet |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| IMZA65R039M1HXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Silicon Carbide Power Mosfet |
товар відсутній |