IMZA65R107M1HXKSA1 INFINEON
Виробник: INFINEONDescription: INFINEON - IMZA65R107M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 20 A, 650 V, 0.107 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.107ohm
на замовлення 389 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 556.45 грн |
| 5+ | 480.06 грн |
| 10+ | 402.92 грн |
| 50+ | 366.49 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IMZA65R107M1HXKSA1 INFINEON
Description: MOSFET 650V NCH SIC TRENCH, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 142mOhm @ 8.9A, 18V, Power Dissipation (Max): 75W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 3mA, Supplier Device Package: PG-TO247-3-41, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, Vgs (Max): +23V, -5V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 18 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 496 pF @ 400 V.
Інші пропозиції IMZA65R107M1HXKSA1 за ціною від 281.07 грн до 1140.87 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IMZA65R107M1HXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 20A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 1680 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IMZA65R107M1HXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET |
на замовлення 105 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IMZA65R107M1HXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET 650V NCH SIC TRENCH Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 142mOhm @ 8.9A, 18V Power Dissipation (Max): 75W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 3mA Supplier Device Package: PG-TO247-3-41 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Vgs (Max): +23V, -5V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 496 pF @ 400 V |
на замовлення 262 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IMZA65R107M1HXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 20A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 239 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IMZA65R107M1HXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 20A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
IMZA65R107M1HXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 20A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
IMZA65R107M1HXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 20A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| IMZA65R107M1HXKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 13A; Idm: 48A; 75W Case: TO247-4 Mounting: THT Drain-source voltage: 650V Drain current: 13A On-state resistance: 139mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 75W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Technology: CoolSiC™; SiC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: -5...23V Pulsed drain current: 48A кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| IMZA65R107M1HXKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 13A; Idm: 48A; 75W Case: TO247-4 Mounting: THT Drain-source voltage: 650V Drain current: 13A On-state resistance: 139mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 75W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Technology: CoolSiC™; SiC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: -5...23V Pulsed drain current: 48A |
товар відсутній |