IMZA75R140M1HXKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 240 шт:
термін постачання 203-212 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 496.26 грн |
| 10+ | 418.53 грн |
| 25+ | 330.26 грн |
| 100+ | 303.17 грн |
| 240+ | 285.34 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IMZA75R140M1HXKSA1 Infineon Technologies
Description: SILICON CARBIDE MOSFET, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tj), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 129mOhm @ 4.7A, 20V, Power Dissipation (Max): 86W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 1.7mA, Supplier Device Package: PG-TO247-4, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V, Vgs (Max): +23V, -5V, Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 18 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 351 pF @ 500 V.
Інші пропозиції IMZA75R140M1HXKSA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| IMZA75R140M1HXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 IMZA75R140M1HXKSA1 |
товар відсутній |
||
 |
IMZA75R140M1HXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: SILICON CARBIDE MOSFET Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 129mOhm @ 4.7A, 20V Power Dissipation (Max): 86W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 1.7mA Supplier Device Package: PG-TO247-4 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V Vgs (Max): +23V, -5V Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 351 pF @ 500 V |
товар відсутній |