IPA028N04NM3SXKSA1

IPA028N04NM3SXKSA1 Infineon Technologies


Infineon-IPA028N04NM3S-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626cb27db2016d5cc70b8d6dd6 Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH <= 40V PG-TO220-3
на замовлення 1500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
282+71.48 грн
Мінімальне замовлення: 282
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPA028N04NM3SXKSA1 Infineon Technologies

Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 63A; Idm: 356A; 38W; TO220FP, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: OptiMOS™ 3, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 40V, Drain current: 63A, Pulsed drain current: 356A, Power dissipation: 38W, Case: TO220FP, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 2.8mΩ, Mounting: THT, Kind of package: tube, Kind of channel: enhanced, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції IPA028N04NM3SXKSA1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IPA028N04NM3SXKSA1 IPA028N04NM3SXKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPA028N04NM3S-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626cb27db2016d5cc70b8d6dd6 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 63A; Idm: 356A; 38W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 63A
Pulsed drain current: 356A
Power dissipation: 38W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IPA028N04NM3SXKSA1 IPA028N04NM3SXKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPA028N04NM3S-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626cb27db2016d5cc70b8d6dd6 Description: TRENCH <= 40V PG-TO220-3
товар відсутній
IPA028N04NM3SXKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPA028N04NM3S-DataSheet-v02_01-EN-1859238.pdf MOSFET TRENCH <= 40V
товар відсутній
IPA028N04NM3SXKSA1 IPA028N04NM3SXKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPA028N04NM3S-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626cb27db2016d5cc70b8d6dd6 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 63A; Idm: 356A; 38W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 63A
Pulsed drain current: 356A
Power dissipation: 38W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній