IPA028N08N3GXKSA1

IPA028N08N3GXKSA1 Infineon Technologies


IPA028N08N3_G.pdf Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 80V 89A TO220-FP
на замовлення 23 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+565.46 грн
10+ 492.16 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPA028N08N3GXKSA1 Infineon Technologies

Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 62A; 42W; TO220FP, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: OptiMOS™ 3, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 80V, Drain current: 62A, Power dissipation: 42W, Case: TO220FP, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 2.8mΩ, Mounting: THT, Gate charge: 155nC, Kind of package: tube, Kind of channel: enhanced, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції IPA028N08N3GXKSA1 за ціною від 404.57 грн до 632.45 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IPA028N08N3GXKSA1 IPA028N08N3GXKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPA028N08N3 G-DS-v02_00-EN-1122130.pdf MOSFET N-Ch 80V 89A TO220FP-3
на замовлення 217 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+632.45 грн
10+ 563.53 грн
100+ 429.28 грн
500+ 404.57 грн
IPA028N08N3GXKSA1 IPA028N08N3GXKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPA028N08N3G.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 62A; 42W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 62A
Power dissipation: 42W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 155nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IPA028N08N3GXKSA1 IPA028N08N3GXKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPA028N08N3G.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 62A; 42W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 62A
Power dissipation: 42W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 155nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній