IPA028N08N3GXKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 565.46 грн |
10+ | 492.16 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPA028N08N3GXKSA1 Infineon Technologies
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 62A; 42W; TO220FP, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: OptiMOS™ 3, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 80V, Drain current: 62A, Power dissipation: 42W, Case: TO220FP, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 2.8mΩ, Mounting: THT, Gate charge: 155nC, Kind of package: tube, Kind of channel: enhanced, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції IPA028N08N3GXKSA1 за ціною від 404.57 грн до 632.45 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IPA028N08N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 80V 89A TO220FP-3 |
на замовлення 217 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||
IPA028N08N3GXKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 62A; 42W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 62A Power dissipation: 42W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.8mΩ Mounting: THT Gate charge: 155nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||
IPA028N08N3GXKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 62A; 42W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 62A Power dissipation: 42W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.8mΩ Mounting: THT Gate charge: 155nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |