IPA029N06NXKSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 84A TO220-FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 84A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 75µA
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5125 pF @ 30 V
на замовлення 166 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 206.54 грн |
| 50+ | 157.83 грн |
| 100+ | 135.28 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPA029N06NXKSA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 84A TO220-FP, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 84A, 10V, Power Dissipation (Max): 38W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 75µA, Supplier Device Package: PG-TO220-FP, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5125 pF @ 30 V.
Інші пропозиції IPA029N06NXKSA1 за ціною від 96.14 грн до 399.83 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPA029N06NXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET MV POWER MOS |
на замовлення 500 шт: термін постачання 225-234 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPA029N06NXKSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPA029N06NXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 84 A, 0.0026 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 84A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 38W Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm |
на замовлення 477 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPA029N06NXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPA029N06NXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
IPA029N06NXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
IPA029N06NXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
IPA029N06NXKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 84A; 38W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 84A Power dissipation: 38W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.9mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
IPA029N06NXKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 84A; 38W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 84A Power dissipation: 38W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.9mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |