IPA040N08NM5SXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 53A; Idm: 300A; 39W; TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 80V
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO220FP
On-state resistance: 4mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 300A
Power dissipation: 39W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Drain current: 53A
Kind of channel: enhanced
на замовлення 220 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 125.87 грн |
| 9+ | 91.8 грн |
| 24+ | 86.93 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPA040N08NM5SXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Description: INFINEON - IPA040N08NM5SXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 75 A, 0.0034 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 75A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 39W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm.
Інші пропозиції IPA040N08NM5SXKSA1 за ціною від 104.31 грн до 195.71 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IPA040N08NM5SXKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 53A; Idm: 300A; 39W; TO220FP Mounting: THT Kind of package: tube Drain-source voltage: 80V Type of transistor: N-MOSFET Case: TO220FP On-state resistance: 4mΩ Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 300A Power dissipation: 39W Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ 3 Drain current: 53A Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 220 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IPA040N08NM5SXKSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPA040N08NM5SXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 75 A, 0.0034 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 75A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 39W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm |
на замовлення 472 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IPA040N08NM5SXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: TRENCH 40<-<100V PG-TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 38A, 10V Power Dissipation (Max): 39W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 109µA Supplier Device Package: PG-TO220-FP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6400 pF @ 40 V |
на замовлення 490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
| IPA040N08NM5SXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Power Transistor MOSFET |
товар відсутній |
||||||||||||
| IPA040N08NM5SXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET TRENCH 40<-<100V |
товар відсутній |