IPA041N04NGXKSA1 INFINEON
Виробник: INFINEONDescription: INFINEON - IPA041N04NGXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 70 A, 0.0035 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9+ | 86.13 грн |
| 10+ | 77.14 грн |
| 100+ | 61.11 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPA041N04NGXKSA1 INFINEON
Description: INFINEON - IPA041N04NGXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 70 A, 0.0035 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 70A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 35W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 3, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції IPA041N04NGXKSA1 за ціною від 33.91 грн до 101.25 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPA041N04NGXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 40V 70A TO220-FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 70A, 10V Power Dissipation (Max): 35W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 45µA Supplier Device Package: PG-TO220-FP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 20 V |
на замовлення 243 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPA041N04NGXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET MV POWER MOS |
на замовлення 443 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPA041N04NGXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
IPA041N04NGXKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 70A; 35W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 70A Power dissipation: 35W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.1mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
IPA041N04NGXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
IPA041N04NGXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
IPA041N04NGXKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 70A; 35W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 70A Power dissipation: 35W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.1mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |