IPA045N10N3GXKSA1

IPA045N10N3GXKSA1 Infineon Technologies


3187infineon-ipa045n10n3_g-ds-v02_03-en.pdffileiddb3a30432239cccd0122.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 64A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+66.44 грн
Мінімальне замовлення: 5
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPA045N10N3GXKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPA045N10N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 64 A, 0.0039 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 64A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 39W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 3, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0039ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Інші пропозиції IPA045N10N3GXKSA1 за ціною від 66.52 грн до 259.13 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IPA045N10N3GXKSA1 IPA045N10N3GXKSA1 Виробник : Infineon Technologies IPA045N10N3+G_Rev2.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432239cccd0122600237f57ece Description: MOSFET N-CH 100V 64A TO220-FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 64A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8410 pF @ 50 V
на замовлення 538 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+196.43 грн
50+ 150.14 грн
100+ 128.7 грн
500+ 107.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPA045N10N3GXKSA1 IPA045N10N3GXKSA1 Виробник : INFINEON 2211585.pdf Description: INFINEON - IPA045N10N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 64 A, 0.0039 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 39W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0039ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 284 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+259.13 грн
10+ 209.7 грн
25+ 167.76 грн
100+ 130.74 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPA045N10N3GXKSA1 Виробник : Infineon IPA045N10N3+G_Rev2.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432239cccd0122600237f57ece Trans MOSFET N-CH 100V 64A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220FP IPA045N10N3GXKSA1 TIPA045n10n3g
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+66.52 грн
Мінімальне замовлення: 10
IPA045N10N3GXKSA1
Код товару: 125685
IPA045N10N3+G_Rev2.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432239cccd0122600237f57ece Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товар відсутній
IPA045N10N3GXKSA1 IPA045N10N3GXKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPA045N10N3G-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 64A; 39W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 64A
Power dissipation: 39W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IPA045N10N3GXKSA1 IPA045N10N3GXKSA1 Виробник : Infineon Technologies IPA045N10N3+G_Rev2.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432239cccd0122600237f57ece MOSFET TRENCH >=100V
товар відсутній
IPA045N10N3GXKSA1 IPA045N10N3GXKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPA045N10N3G-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 64A; 39W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 64A
Power dissipation: 39W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній