IPA052N08NM5SXKSA1 INFINEON
Виробник: INFINEONDescription: INFINEON - IPA052N08NM5SXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 64 A, 0.0046 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0046ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 123.57 грн |
| 10+ | 102.6 грн |
| 25+ | 89.12 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPA052N08NM5SXKSA1 INFINEON
Description: INFINEON - IPA052N08NM5SXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 64 A, 0.0046 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 64A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 38W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0046ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції IPA052N08NM5SXKSA1 за ціною від 113.3 грн до 163.21 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IPA052N08NM5SXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 80V 64A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 32A, 10V Power Dissipation (Max): 38W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 65µA Supplier Device Package: PG-TO220 Full Pack Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 40 V |
на замовлення 490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||
| IPA052N08NM5SXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Power Transistor MOSFET |
товар відсутній |
||||||||||
| IPA052N08NM5SXKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
IPA052N08NM5SXKSA1 THT N channel transistors |
товар відсутній |
||||||||||
 |
IPA052N08NM5SXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET TRENCH 40<-<100V |
товар відсутній |