Продукція > INFINEON > IPA320N20NM3SXKSA1

IPA320N20NM3SXKSA1 INFINEON

Name: IPA320N20NM3SXKSA1
Brand: INFINEON
SKU: 6858242-6
Price: 150.53 UAH
Availability: InStock

Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPA320N20NM3SXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 26 A, 0.0272 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0272ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 97 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
4+	208.95 грн
10+	165.51 грн
25+	150.53 грн

Мінімальне замовлення: 4

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис IPA320N20NM3SXKSA1 INFINEON

Description: INFINEON - IPA320N20NM3SXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 26 A, 0.0272 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 26A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 38W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 3, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0272ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Інші пропозиції IPA320N20NM3SXKSA1

Назва	Виробник	Інформація	Доступність
IPA320N20NM3SXKSA1	Виробник : Infineon Technologies	Power Transistor MOSFET	товар відсутній
IPA320N20NM3SXKSA1	Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES	Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 19A; Idm: 104A; 38W; TO220FP Kind of package: tube Drain current: 19A Power dissipation: 38W Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V On-state resistance: 32mΩ Technology: OptiMOS™ 3 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 104A Case: TO220FP Mounting: THT Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт	товар відсутній
IPA320N20NM3SXKSA1	Виробник : Infineon Technologies	Description: MOSFET N-CH 200V 26A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 26A, 10V Power Dissipation (Max): 38W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 89µA Supplier Device Package: PG-TO220 Full Pack Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 100 V	товар відсутній
IPA320N20NM3SXKSA1	Виробник : Infineon Technologies	MOSFET TRENCH >=100V	товар відсутній
IPA320N20NM3SXKSA1	Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES	Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 19A; Idm: 104A; 38W; TO220FP Kind of package: tube Drain current: 19A Power dissipation: 38W Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V On-state resistance: 32mΩ Technology: OptiMOS™ 3 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 104A Case: TO220FP Mounting: THT Type of transistor: N-MOSFET	товар відсутній