IPA600N25NM3SXKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 115.25 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPA600N25NM3SXKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPA600N25NM3SXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 15 A, 0.049 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 250V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 15A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 38W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 3, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.049ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції IPA600N25NM3SXKSA1 за ціною від 115.06 грн до 202.96 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IPA600N25NM3SXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 250V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 968 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
IPA600N25NM3SXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 250V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
IPA600N25NM3SXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 250V 15A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 38W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 89µA Supplier Device Package: PG-TO220 Full Pack Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 100 V |
на замовлення 404 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
IPA600N25NM3SXKSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPA600N25NM3SXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 15 A, 0.049 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 15A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 38W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 3 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.049ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 55 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
IPA600N25NM3SXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 250V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||
| IPA600N25NM3SXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 250V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 4500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||
| IPA600N25NM3SXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Power Transistor MOSFET |
товар відсутній |
||||||||||
|
|
IPA600N25NM3SXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 250V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товар відсутній |
|||||||||
 |
IPA600N25NM3SXKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 10A; Idm: 60A; 38W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Drain current: 10A Pulsed drain current: 60A Power dissipation: 38W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 60mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||
 |
IPA600N25NM3SXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET TRENCH >=100V |
товар відсутній |
|||||||||
|
|
IPA600N25NM3SXKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 10A; Idm: 60A; 38W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Drain current: 10A Pulsed drain current: 60A Power dissipation: 38W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 60mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |