на замовлення 471 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 300.65 грн |
| 10+ | 274.86 грн |
| 25+ | 204.96 грн |
| 100+ | 175.58 грн |
| 250+ | 171.58 грн |
| 500+ | 155.55 грн |
| 1000+ | 125.51 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPA60R099P7XKSA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 31A TO220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 10.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 29W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 530µA, Supplier Device Package: PG-TO220-FP, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1952 pF @ 400 V.
Інші пропозиції IPA60R099P7XKSA1 за ціною від 231.77 грн до 427.68 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPA60R099P7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IPA60R099P7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin TO-220FP Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||
|
|
IPA60R099P7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||
|
|
IPA60R099P7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||
 |
IPA60R099P7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 600V 31A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 10.5A, 10V Power Dissipation (Max): 29W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 530µA Supplier Device Package: PG-TO220-FP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1952 pF @ 400 V |
товар відсутній |