IPA60R125CP INFINEON


INFNS15802-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Виробник: INFINEON

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPA60R125CP INFINEON

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 16A, 10V, Power Dissipation (Max): 35W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.1mA, Supplier Device Package: PG-TO220-3-31, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 100 V.

Інші пропозиції IPA60R125CP

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IPA60R125CP Виробник : Infineon technologies INFNS15802-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IPA60R125CP IPA60R125CP Виробник : Infineon Technologies INFNS15802-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.1mA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-31
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 100 V
товар відсутній
IPA60R125CP IPA60R125CP Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPA60R125CP_DS_v02_01_en-1226875.pdf MOSFET N-Ch 650V 25A TO220FP-3 CoolMOS CP
товар відсутній