IPA60R160P6 Infineon Technologies
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
51+ | 231.61 грн |
53+ | 222.79 грн |
100+ | 215.22 грн |
250+ | 201.25 грн |
500+ | 181.27 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPA60R160P6 Infineon Technologies
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 9A, 10V, Power Dissipation (Max): 34W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 750µA, Supplier Device Package: PG-TO220-3-111, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2080 pF @ 100 V.
Інші пропозиції IPA60R160P6 за ціною від 112.83 грн до 255.47 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IPA60R160P6 | Виробник : Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 600V 10.4A TO220FP-3 |
на замовлення 58 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IPA60R160P6 | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 23.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 37 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||
IPA60R160P6 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 9A, 10V Power Dissipation (Max): 34W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 750µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-111 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2080 pF @ 100 V |
товар відсутній |