IPA80R1K2P7XKSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 800V 4.5A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-FP
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 500 V
Description: MOSFET N-CH 800V 4.5A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-FP
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 500 V
на замовлення 467 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 98.31 грн |
50+ | 76.12 грн |
100+ | 60.33 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPA80R1K2P7XKSA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 800V 4.5A TO220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 1.7A, 10V, Power Dissipation (Max): 25W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 80µA, Supplier Device Package: PG-TO220-3-FP, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 500 V.
Інші пропозиції IPA80R1K2P7XKSA1 за ціною від 35.54 грн до 112.1 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IPA80R1K2P7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies | MOSFET LOW POWER_NEW |
на замовлення 381 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IPA80R1K2P7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 477 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IPA80R1K2P7XKSA1 | Виробник : Infineon |
N-Channel MOSFET; 800V; 30V; 2,7Ohm; 4,5A; 25W; -55°C ~ 150°C; IPA80R1K2P7XKSA1 Infineon Technologies TIPA80r1k2p7 кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 47 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IPA80R1K2P7XKSA1 Код товару: 185127 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||
IPA80R1K2P7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies | 800V CoolMOS P7 Power Transistor |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
IPA80R1K2P7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
IPA80R1K2P7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товар відсутній |