IPA80R900P7XKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 227 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 39.06 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPA80R900P7XKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPA80R900P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 6 A, 0.77 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 26W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.77ohm.
Інші пропозиції IPA80R900P7XKSA1 за ціною від 38 грн до 130.4 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPA80R900P7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 70000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPA80R900P7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 227 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPA80R900P7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 227 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPA80R900P7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET LOW POWER_NEW |
на замовлення 434 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPA80R900P7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPA80R900P7XKSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPA80R900P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 6 A, 0.77 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 26W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.77ohm |
на замовлення 596 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPA80R900P7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
IPA80R900P7XKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4.6A; 27W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 4.6A Power dissipation: 27W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.75Ω Mounting: THT Gate charge: 17nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
IPA80R900P7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 800V 6A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2.2A, 10V Power Dissipation (Max): 26W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 110µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-31 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 500 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
IPA80R900P7XKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4.6A; 27W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 4.6A Power dissipation: 27W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.75Ω Mounting: THT Gate charge: 17nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate |
товар відсутній |