IPAN70R360P7SXKSA1

IPAN70R360P7SXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES


IPAN70R360P7S.pdf Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 7.5A; 26.5W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 7.5A
Power dissipation: 26.5W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16.4nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
на замовлення 488 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+77.5 грн
6+ 64.35 грн
10+ 58.12 грн
17+ 49.82 грн
45+ 47.05 грн
Мінімальне замовлення: 5
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPAN70R360P7SXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES

Description: INFINEON - IPAN70R360P7SXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 12.5 A, 0.3 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 700V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 26.5W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm.

Інші пропозиції IPAN70R360P7SXKSA1 за ціною від 31.09 грн до 93.89 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IPAN70R360P7SXKSA1 IPAN70R360P7SXKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPAN70R360P7S.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 7.5A; 26.5W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 7.5A
Power dissipation: 26.5W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16.4nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 488 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+93 грн
4+ 80.19 грн
10+ 69.75 грн
17+ 59.78 грн
45+ 56.46 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPAN70R360P7SXKSA1 IPAN70R360P7SXKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPAN70R360P7S_DS_v02_01_EN-1709835.pdf MOSFET CONSUMER
на замовлення 399 шт:
термін постачання 184-193 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+93 грн
10+ 73.87 грн
100+ 50.75 грн
500+ 42.91 грн
1000+ 32.95 грн
5000+ 31.35 грн
10000+ 31.09 грн
Мінімальне замовлення: 4
IPAN70R360P7SXKSA1 IPAN70R360P7SXKSA1 Виробник : INFINEON Infineon-IPAN70R360P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625acbae4c015ad1977e2820c3 Description: INFINEON - IPAN70R360P7SXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 12.5 A, 0.3 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 26.5W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
на замовлення 444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+93.89 грн
11+ 71.09 грн
100+ 52.24 грн
Мінімальне замовлення: 8
IPAN70R360P7SXKSA1 IPAN70R360P7SXKSA1 Виробник : Infineon Technologies 1990565449079461infineon-ipan70r360p7s-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4625acbae4c015a.pdf Trans MOSFET N-CH 700V 12.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товар відсутній
IPAN70R360P7SXKSA1 IPAN70R360P7SXKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPAN70R360P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625acbae4c015ad1977e2820c3 Description: MOSFET N-CH 700V 12.5A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 26.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 517 pF @ 400 V
товар відсутній