IPB010N06NATMA1 Infineon Technologies
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 236 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPB010N06NATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPB010N06NATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 180 A, 800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 180A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 800µohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції IPB010N06NATMA1 за ціною від 247.77 грн до 551.21 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPB010N06NATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET N-CH 60V 45A/180A TO263-7Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta), 180A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 280µA Supplier Device Package: PG-TO263-7 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 208 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 30 V |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPB010N06NATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 45A/180A TO263-7 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta), 180A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 280µA Supplier Device Package: PG-TO263-7 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 208 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 30 V |
на замовлення 4992 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPB010N06NATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET N-Ch 60V 180A D2PAK-6 |
на замовлення 1317 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPB010N06NATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPB010N06NATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 180 A, 800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 180A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 800µohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 1994 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPB010N06NATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
IPB010N06NATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 180A; 300W; PG-TO263-7 Technology: OptiMOS™ Mounting: SMD Case: PG-TO263-7 On-state resistance: 1mΩ Polarisation: unipolar Kind of channel: enhanced Power dissipation: 300W Gate-source voltage: ±20V Type of transistor: N-MOSFET Drain-source voltage: 60V Drain current: 180A кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
IPB010N06NATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 180A; 300W; PG-TO263-7 Technology: OptiMOS™ Mounting: SMD Case: PG-TO263-7 On-state resistance: 1mΩ Polarisation: unipolar Kind of channel: enhanced Power dissipation: 300W Gate-source voltage: ±20V Type of transistor: N-MOSFET Drain-source voltage: 60V Drain current: 180A |
товар відсутній |