Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPB014N06NATMA1
IPB014N06NATMA1

IPB014N06NATMA1 Infineon Technologies

ipb014n06n_rev2.2.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+87.08 грн
Мінімальне замовлення: 1000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB014N06NATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 34A/180A TO263-7, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Ta), 180A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 100A, 10V, Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 214W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 143µA, Supplier Device Package: PG-TO263-7, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7800 pF @ 30 V.

Інші пропозиції IPB014N06NATMA1 за ціною від 140.69 грн до 317.49 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IPB014N06NATMA1 IPB014N06NATMA1 Виробник : Infineon Technologies IPB014N06N_Rev2+0.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a3043353fdc160135534e951e4873 Description: MOSFET N-CH 60V 34A/180A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Ta), 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 143µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7800 pF @ 30 V
на замовлення 1884 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+296.52 грн
10+ 239.78 грн
100+ 193.96 грн
500+ 161.8 грн
IPB014N06NATMA1 IPB014N06NATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPB014N06N_DS_v02_02_en-1731680.pdf MOSFET N-Ch 60V 180A D2PAK-6
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+317.49 грн
10+ 262.82 грн
25+ 215.33 грн
100+ 184.94 грн
250+ 174.37 грн
500+ 163.81 грн
1000+ 140.69 грн
IPB014N06NATMA1 IPB014N06NATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipb014n06n_rev2.2.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IPB014N06NATMA1 IPB014N06NATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPB014N06N-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 180A; 214W; PG-TO263-7
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 180A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO263-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IPB014N06NATMA1 IPB014N06NATMA1 Виробник : Infineon Technologies IPB014N06N_Rev2+0.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a3043353fdc160135534e951e4873 Description: MOSFET N-CH 60V 34A/180A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Ta), 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 143µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7800 pF @ 30 V
товар відсутній
IPB014N06NATMA1 IPB014N06NATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPB014N06N-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 180A; 214W; PG-TO263-7
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 180A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO263-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
товар відсутній