IPB080N03L G

IPB080N03L G Infineon Technologies


INFNS16326-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Виробник: Infineon Technologies
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 15 V
на замовлення 1250 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
693+29.24 грн
Мінімальне замовлення: 693
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB080N03L G Infineon Technologies

Description: OPTLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 47W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, Supplier Device Package: PG-TO263-3-2, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 15 V.

Інші пропозиції IPB080N03L G

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IPB080N03L G Виробник : INF INFNS16326-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw TO-263
на замовлення 46000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IPB080N03LG IPB080N03LG Виробник : Infineon Technologies INFNS16326-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: OPTLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 15 V
товар відсутній
IPB080N03L G IPB080N03L G Виробник : Infineon Technologies IPP080N03L_rev2.0-97761.pdf MOSFET N-Ch 30V 50A D2PAK-2 OptiMOS 3
товар відсутній