Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPB107N20N3GATMA1
IPB107N20N3GATMA1

IPB107N20N3GATMA1 Infineon Technologies

ipp_i_110n20n3g_ipb107n20n3grev2.2.pdffolderiddb3a3043163797a6011637d4bae7003bfileiddb3a3043.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 88A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+253.53 грн
Мінімальне замовлення: 1000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB107N20N3GATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPB107N20N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 88 A, 0.0096 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 88A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0096ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Інші пропозиції IPB107N20N3GATMA1 за ціною від 265.54 грн до 620.92 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IPB107N20N3GATMA1 IPB107N20N3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies IPP_I_110N20N3+G_IPB107N20N3+G+Rev2.2.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a3043243b5f170124968e7d1f18e7 Description: MOSFET N-CH 200V 88A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.7mOhm @ 88A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7100 pF @ 100 V
на замовлення 7495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+294.28 грн
2000+ 265.54 грн
Мінімальне замовлення: 1000
IPB107N20N3GATMA1 IPB107N20N3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipp_i_110n20n3g_ipb107n20n3grev2.2.pdffolderiddb3a3043163797a6011637d4bae7003bfileiddb3a3043.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 88A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 13000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+305.42 грн
2000+ 290.37 грн
Мінімальне замовлення: 1000
IPB107N20N3GATMA1 IPB107N20N3GATMA1 Виробник : INFINEON INFNS17046-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB107N20N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 88 A, 0.0096 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 88A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0096ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+517.19 грн
25+ 446.06 грн
100+ 347.46 грн
1000+ 278.81 грн
Мінімальне замовлення: 10
IPB107N20N3GATMA1 IPB107N20N3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies IPP_I_110N20N3+G_IPB107N20N3+G+Rev2.2.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a3043243b5f170124968e7d1f18e7 Description: MOSFET N-CH 200V 88A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.7mOhm @ 88A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7100 pF @ 100 V
на замовлення 7879 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+518.72 грн
10+ 428.23 грн
100+ 356.85 грн
500+ 295.49 грн
IPB107N20N3GATMA1 IPB107N20N3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPP_I_110N20N3G_IPB107N20N3G_DS_v02_03_en-1731855.pdf MOSFET N-Ch 200V 88A D2PAK-2 OptiMOS 3
на замовлення 3403 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+524.01 грн
10+ 449.68 грн
25+ 374.51 грн
100+ 326.95 грн
250+ 324.31 грн
500+ 295.91 грн
1000+ 269.49 грн
IPB107N20N3GATMA1 IPB107N20N3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipp_i_110n20n3g_ipb107n20n3grev2.2.pdffolderiddb3a3043163797a6011637d4bae7003bfileiddb3a3043.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 88A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 693 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+534.58 грн
10+ 465.04 грн
25+ 459.75 грн
100+ 372.16 грн
250+ 341.23 грн
500+ 272.63 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPB107N20N3GATMA1 IPB107N20N3GATMA1 Виробник : INFINEON INFNS17046-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB107N20N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 88 A, 0.0096 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 88A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0096ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+620.92 грн
10+ 517.19 грн
25+ 446.06 грн
100+ 347.46 грн
1000+ 278.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPB107N20N3GATMA1 IPB107N20N3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipp_i_110n20n3g_ipb107n20n3grev2.2.pdffolderiddb3a3043163797a6011637d4bae7003bfileiddb3a3043.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 88A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IPB107N20N3GATMA1 IPB107N20N3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipp_i_110n20n3g_ipb107n20n3grev2.2.pdffolderiddb3a3043163797a6011637d4bae7003bfileiddb3a3043.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 88A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IPB107N20N3GATMA1 IPB107N20N3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipp_i_110n20n3g_ipb107n20n3grev2.2.pdffolderiddb3a3043163797a6011637d4bae7003bfileiddb3a3043.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 88A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IPB107N20N3GATMA1 IPB107N20N3GATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPB107N20N3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 88A; 300W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 88A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IPB107N20N3GATMA1 IPB107N20N3GATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPB107N20N3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 88A; 300W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 88A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
товар відсутній