Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPB160N04S4LH1ATMA1
IPB160N04S4LH1ATMA1

IPB160N04S4LH1ATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPB160N04S4LH110-DS-v01_00-en.pdf?fileId=5546d461464245d3014670f0ac006489 Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14950 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+110.03 грн
Мінімальне замовлення: 1000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB160N04S4LH1ATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 100A, 10V, Power Dissipation (Max): 167W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 110µA, Supplier Device Package: PG-TO263-7-3, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): +20V, -16V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14950 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції IPB160N04S4LH1ATMA1 за ціною від 95.47 грн до 217.31 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IPB160N04S4LH1ATMA1 IPB160N04S4LH1ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPB160N04S4LH110-DS-v01_00-en.pdf?fileId=5546d461464245d3014670f0ac006489 Description: MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14950 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+213.04 грн
10+ 172.12 грн
100+ 139.21 грн
500+ 116.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPB160N04S4LH1ATMA1 IPB160N04S4LH1ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPB160N04S4LH110_DS_v01_00_en-1731637.pdf MOSFET N-CHANNEL 30/40V
на замовлення 863 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+217.31 грн
10+ 179.65 грн
25+ 154.89 грн
100+ 126.85 грн
250+ 124.84 грн
500+ 112.16 грн
1000+ 95.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPB160N04S4LH1ATMA1 IPB160N04S4LH1ATMA1 Виробник : Infineon Technologies 9757ipb160n04s4l-h1-data-sheet-10-infineon.pdffolderiddb3a304412b4079.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 160A Automotive 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IPB160N04S4LH1ATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPB160N04S4LH110-DS-v01_00-en.pdf?fileId=5546d461464245d3014670f0ac006489 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; unipolar; 40V; 160A; Idm: 640A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ T2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 160A
Pulsed drain current: 640A
Power dissipation: 167W
Case: PG-TO263-7-3
Gate-source voltage: -16...20V
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1000 шт
товар відсутній
IPB160N04S4LH1ATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPB160N04S4LH110-DS-v01_00-en.pdf?fileId=5546d461464245d3014670f0ac006489 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; unipolar; 40V; 160A; Idm: 640A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ T2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 160A
Pulsed drain current: 640A
Power dissipation: 167W
Case: PG-TO263-7-3
Gate-source voltage: -16...20V
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
товар відсутній