Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPB180N06S4H1ATMA2
IPB180N06S4H1ATMA2

IPB180N06S4H1ATMA2 Infineon Technologies

ipb180n06s4-h1_ds_10.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 180A Automotive 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+124.09 грн
Мінімальне замовлення: 1000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB180N06S4H1ATMA2 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V, Power Dissipation (Max): 250W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA, Supplier Device Package: PG-TO263-7, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21900 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції IPB180N06S4H1ATMA2 за ціною від 124.03 грн до 317.17 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IPB180N06S4H1ATMA2 IPB180N06S4H1ATMA2 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPB180N06S4-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff9881501203ccc9314178e Description: MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21900 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+142.58 грн
2000+ 129.28 грн
5000+ 124.03 грн
Мінімальне замовлення: 1000
IPB180N06S4H1ATMA2 IPB180N06S4H1ATMA2 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPB180N06S4-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff9881501203ccc9314178e Description: MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21900 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6667 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+275.26 грн
10+ 222.99 грн
100+ 180.39 грн
500+ 150.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPB180N06S4H1ATMA2 IPB180N06S4H1ATMA2 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPB180N06S4_DS_v01_00_en-1731650.pdf MOSFET N-Ch 60V 180A D2PAK-6
на замовлення 5927 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+295.3 грн
10+ 243.86 грн
25+ 203.97 грн
100+ 172.33 грн
250+ 170.31 грн
500+ 152.81 грн
1000+ 127.9 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPB180N06S4H1ATMA2 IPB180N06S4H1ATMA2 Виробник : INFINEON Infineon-IPB180N06S4-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff9881501203ccc9314178e Description: INFINEON - IPB180N06S4H1ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 180 A, 0.0013 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm
на замовлення 1594 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+317.17 грн
10+ 225.04 грн
100+ 181.99 грн
500+ 159.18 грн
1000+ 125.57 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPB180N06S4H1ATMA2 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPB180N06S4-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff9881501203ccc9314178e Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS® -T2; unipolar; 60V; 180A; Idm: 720A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS® -T2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 180A
Pulsed drain current: 720A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO263-7-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1000 шт
товар відсутній
IPB180N06S4H1ATMA2 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPB180N06S4-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff9881501203ccc9314178e Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS® -T2; unipolar; 60V; 180A; Idm: 720A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS® -T2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 180A
Pulsed drain current: 720A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO263-7-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
товар відсутній