Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPB330P10NMATMA1
IPB330P10NMATMA1

IPB330P10NMATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPB330P10NM-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7bb971ed017bc9a628c74f22 Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V PG-TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Ta), 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 53A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 5.55mA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 236 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 50 V
на замовлення 563 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+350.1 грн
10+ 282.95 грн
100+ 228.9 грн
500+ 190.94 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB330P10NMATMA1 Infineon Technologies

Description: TRENCH >=100V PG-TO263-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Ta), 62A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 53A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 5.55mA, Supplier Device Package: PG-TO263-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 236 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 50 V.

Інші пропозиції IPB330P10NMATMA1 за ціною від 116.54 грн до 379.92 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IPB330P10NMATMA1 IPB330P10NMATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPB330P10NM_DataSheet_v02_00_EN-2942457.pdf MOSFET TRENCH >=100V
на замовлення 1650 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+379.92 грн
10+ 314.75 грн
25+ 269.7 грн
100+ 221.76 грн
250+ 217.76 грн
500+ 197.12 грн
1000+ 172.48 грн
IPB330P10NMATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipb330p10nm-datasheet-v02_00-en.pdf SP005343858
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+116.54 грн
Мінімальне замовлення: 1000
IPB330P10NMATMA1 IPB330P10NMATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPB330P10NM-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7bb971ed017bc9a628c74f22 Description: TRENCH >=100V PG-TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Ta), 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 53A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 5.55mA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 236 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 50 V
товар відсутній