IPC100N04S52R8ATMA1 Infineon Technologies
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5000+ | 33.32 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPC100N04S52R8ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPC100N04S52R8ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0023 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 75W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm.
Інші пропозиції IPC100N04S52R8ATMA1 за ціною від 31.73 грн до 113.96 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPC100N04S52R8ATMA1 | Виробник : INFINEON |
 Description: INFINEON - IPC100N04S52R8ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0023 ohm, TDSON, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 75W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm |
на замовлення 14979 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPC100N04S52R8ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET MOSFET_(20V,40V) |
на замовлення 18651 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPC100N04S52R8ATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPC100N04S52R8ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0023 ohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 75W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm |
на замовлення 14979 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPC100N04S52R8ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON-34 |
на замовлення 14 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPC100N04S52R8ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON-34 |
товар відсутній |