на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 94.24 грн |
10+ | 76.39 грн |
100+ | 51.27 грн |
500+ | 43.46 грн |
1000+ | 37.12 грн |
2000+ | 31.51 грн |
10000+ | 31.44 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPD023N04NF2SATMA1 Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 27A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R.
Інші пропозиції IPD023N04NF2SATMA1 за ціною від 33.93 грн до 85.94 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IPD023N04NF2SATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: TRENCH <= 40V Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 143A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 70A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 81µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 20 V |
на замовлення 1940 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IPD023N04NF2SATMA1 | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 27A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||
IPD023N04NF2SATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: TRENCH <= 40V Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 143A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 70A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 81µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 20 V |
товар відсутній |