IPD029N04NF2SATMA1 INFINEON
Виробник: INFINEONDescription: INFINEON - IPD029N04NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 131 A, 0.0024 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 131A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 49.2 грн |
| 500+ | 39.08 грн |
| 1000+ | 31.45 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPD029N04NF2SATMA1 INFINEON
Description: INFINEON - IPD029N04NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 131 A, 0.0024 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 131A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 107W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: StrongIRFET 2 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції IPD029N04NF2SATMA1 за ціною від 25.17 грн до 83.88 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPD029N04NF2SATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: TRENCH <= 40V Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 131A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 70A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 107W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 53µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 20 V |
на замовлення 1999 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPD029N04NF2SATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET |
на замовлення 286 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPD029N04NF2SATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPD029N04NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 131 A, 0.0024 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 131A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 107W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: StrongIRFET 2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPD029N04NF2SATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 24A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
IPD029N04NF2SATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: TRENCH <= 40V Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 131A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 70A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 107W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 53µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 20 V |
товар відсутній |