IPD031N06L3GATMA1 Infineon Technologies
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2500+ | 48.52 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPD031N06L3GATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPD031N06L3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0025 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 167W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції IPD031N06L3GATMA1 за ціною від 64.03 грн до 192.38 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IPD031N06L3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
IPD031N06L3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
IPD031N06L3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 167W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 93µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 30 V |
на замовлення 65000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
IPD031N06L3GATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPD031N06L3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0025 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 167W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2687 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
IPD031N06L3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 1765 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
IPD031N06L3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 1765 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
IPD031N06L3GATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 167W; PG-TO252-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 100A Power dissipation: 167W Case: PG-TO252-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.1mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhanced |
на замовлення 1477 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
IPD031N06L3GATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 167W; PG-TO252-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 100A Power dissipation: 167W Case: PG-TO252-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.1mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1477 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
IPD031N06L3GATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPD031N06L3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0025 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 167W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2687 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
IPD031N06L3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 10164 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
IPD031N06L3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 167W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 93µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 30 V |
на замовлення 70631 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
IPD031N06L3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 60V 100A DPAK-2 OptiMOS 3 |
на замовлення 5689 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
IPD031N06L3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |