IPD036N04LGATMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 90A TO252-31
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 45µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 20 V
на замовлення 37500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 38.81 грн |
| 5000+ | 35.59 грн |
| 12500+ | 33.95 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPD036N04LGATMA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 90A TO252-31, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 90A, 10V, Power Dissipation (Max): 94W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 45µA, Supplier Device Package: PG-TO252-3-11, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 20 V.
Інші пропозиції IPD036N04LGATMA1 за ціною від 29.52 грн до 102.03 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPD036N04LGATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPD036N04LGATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 40V 90A TO252-31 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 90A, 10V Power Dissipation (Max): 94W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 45µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-11 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 20 V |
на замовлення 41783 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPD036N04LGATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET TRENCH <= 40V |
на замовлення 7162 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| IPD036N04LGATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 90A T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
|
IPD036N04LGATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
IPD036N04LGATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |