IPD038N06NF2SATMA1 Infineon Technologies

---

Виробник: Infineon Technologies
MOSFET

на замовлення 117 шт:

---

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
5+	69.55 грн
10+	56.35 грн
100+	38.12 грн
500+	32.31 грн
1000+	27.57 грн
2000+	23.43 грн
10000+	23.37 грн

Мінімальне замовлення: 5

купити

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис IPD038N06NF2SATMA1 Infineon Technologies

Інші пропозиції IPD038N06NF2SATMA1 за ціною від 25.2 грн до 63.55 грн

Фото	Назва	Виробник	Інформація	Доступність розгорнути згорнути всі	Ціна без ПДВ
	IPD038N06NF2SATMA1	Виробник : Infineon Technologies	Description: TRENCH 40<-<100V Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.85mOhm @ 60A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 107W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 52µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 30 V	на замовлення 1233 шт: термін постачання 21-31 дні (днів)	Кількість Ціна без ПДВ 5+ 63.55 грн 10+  50 грн 100+  38.89 грн 500+  30.94 грн 1000+  25.2 грн Мінімальне замовлення: 5 купити
	IPD038N06NF2SATMA1	Виробник : Infineon Technologies	Description: TRENCH 40<-<100V Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.85mOhm @ 60A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 107W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 52µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 30 V	товар відсутній	купити