Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD03N03LA G
IPD03N03LA G

IPD03N03LA G Infineon Technologies

IPD03N03LAG_Rev1.3.pdf Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 25V 90A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 70µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 15 V
на замовлення 1037 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+107.6 грн
10+ 89.36 грн
100+ 81.21 грн
500+ 72.92 грн
1000+ 72.37 грн
Мінімальне замовлення: 3
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD03N03LA G Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 25V 90A TO252-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 60A, 10V, Power Dissipation (Max): 115W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 70µA, Supplier Device Package: PG-TO252-3-11, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 15 V.

Інші пропозиції IPD03N03LA G

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IPD03N03LAG Виробник : infineon 07+ to-252/d-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IPD03N03LAG Виробник : infineon to-252/d-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IPD03N03LA G IPD03N03LA G Виробник : Infineon Technologies IPD03N03LAG_Rev1.3.pdf Description: MOSFET N-CH 25V 90A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 70µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 15 V
товар відсутній