IPD042P03L3GATMA1

IPD042P03L3GATMA1 Infineon Technologies


8678ipd042p03l3g_2.2.pdffolderiddb3a304314dca38901154a72e3951a65filei.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+53.12 грн
5000+ 52.2 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD042P03L3GATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD042P03L3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, AEC-Q101, p-Kanal, 30 V, 70 A, 0.0035 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 70A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції IPD042P03L3GATMA1 за ціною від 52.41 грн до 161.13 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IPD042P03L3GATMA1 IPD042P03L3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies 8678ipd042p03l3g_2.2.pdffolderiddb3a304314dca38901154a72e3951a65filei.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+57.21 грн
5000+ 56.22 грн
Мінімальне замовлення: 2500
IPD042P03L3GATMA1 IPD042P03L3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD042P03L3_G-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30431d8a6b3c011d90c8c6e60425 Description: MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 175 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12400 pF @ 15 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+58.14 грн
5000+ 53.88 грн
Мінімальне замовлення: 2500
IPD042P03L3GATMA1 IPD042P03L3GATMA1 Виробник : INFINEON INFNS30148-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD042P03L3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, AEC-Q101, p-Kanal, 30 V, 70 A, 0.0035 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 18039 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+92.87 грн
500+ 73.02 грн
1000+ 57 грн
Мінімальне замовлення: 100
IPD042P03L3GATMA1 IPD042P03L3GATMA1 Виробник : INFINEON INFNS30148-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD042P03L3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, AEC-Q101, p-Kanal, 30 V, 70 A, 0.0035 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 18039 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+119.08 грн
50+ 106.35 грн
100+ 92.87 грн
500+ 73.02 грн
1000+ 57 грн
Мінімальне замовлення: 7
IPD042P03L3GATMA1 IPD042P03L3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD042P03L3_G-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30431d8a6b3c011d90c8c6e60425 Description: MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 175 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12400 pF @ 15 V
на замовлення 8577 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+128.55 грн
10+ 103.13 грн
100+ 82.08 грн
500+ 65.18 грн
1000+ 55.3 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPD042P03L3GATMA1 IPD042P03L3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPD042P03L3_G_DS_v02_02_en-1227138.pdf MOSFET TRENCH <= 40V
на замовлення 13864 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+139.42 грн
10+ 115.16 грн
100+ 79.45 грн
500+ 67.43 грн
1000+ 57.01 грн
2500+ 54.08 грн
5000+ 52.41 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPD042P03L3GATMA1 IPD042P03L3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies 8678ipd042p03l3g_2.2.pdffolderiddb3a304314dca38901154a72e3951a65filei.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
73+161.13 грн
78+ 150.18 грн
100+ 128.3 грн
200+ 117.96 грн
500+ 100.34 грн
1000+ 81.67 грн
2000+ 79.29 грн
2500+ 78.34 грн
Мінімальне замовлення: 73
IPD042P03L3GATMA1 IPD042P03L3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies 8678ipd042p03l3g_2.2.pdffolderiddb3a304314dca38901154a72e3951a65filei.pdf OptiMOS P3 Power-Transistor
товар відсутній
IPD042P03L3GATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD042P03L3_G-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30431d8a6b3c011d90c8c6e60425 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -70A; Idm: -280A; 150W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: OptiMOS™ P3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -70A
Pulsed drain current: -280A
Power dissipation: 150W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 2500 шт
товар відсутній
IPD042P03L3GATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD042P03L3_G-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30431d8a6b3c011d90c8c6e60425 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -70A; Idm: -280A; 150W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: OptiMOS™ P3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -70A
Pulsed drain current: -280A
Power dissipation: 150W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
товар відсутній