Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD046N08N5ATMA1
IPD046N08N5ATMA1

IPD046N08N5ATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPD046N08N5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625b3ca4ec015b6137129a66ed Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 80V 90A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 65µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 40 V
на замовлення 2170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+167.55 грн
10+ 133.66 грн
100+ 106.35 грн
500+ 84.44 грн
1000+ 71.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD046N08N5ATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 80V 90A TO252-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 45A, 10V, Power Dissipation (Max): 125W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 65µA, Supplier Device Package: PG-TO252-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 40 V.

Інші пропозиції IPD046N08N5ATMA1 за ціною від 69.43 грн до 181.48 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IPD046N08N5ATMA1 IPD046N08N5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPD046N08N5_DataSheet_v02_01_EN-3362403.pdf MOSFET DIFFERENTIATED MOSFETS
на замовлення 2499 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+181.48 грн
10+ 148.18 грн
100+ 102.81 грн
250+ 98.81 грн
500+ 86.12 грн
1000+ 74.11 грн
2500+ 69.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPD046N08N5ATMA1 IPD046N08N5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd046n08n5-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
IPD046N08N5ATMA1 IPD046N08N5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd046n08n5-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
IPD046N08N5ATMA1 IPD046N08N5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd046n08n5-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 90A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
IPD046N08N5ATMA1 IPD046N08N5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD046N08N5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625b3ca4ec015b6137129a66ed Description: MOSFET N-CH 80V 90A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 65µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 40 V
товар відсутній